导读：本文主要介绍半导体二极管及基本电路,这是学好模拟电路的关键所在，希望这些对亲们有所帮助哦!!!!

(资料图片仅供参考)

　　根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

　　半导体的共价键结构

　　硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵后，结构图为:

　　本征半导体、空穴及其导电作用

　　本征半导体----完全纯净的、结构完整的半导体晶体。

　　当T=0K和无外界激发时，导体中没有载流子，不导电。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量越高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子，这个过程就叫做本征激发。

　　自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，这个空位为空穴。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。

　　N型半导体(电子型半导体)

　　在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑)

　　P型半导体(空穴型半导体)

　　在本征半导体中掺入三价的元素(硼)

二. 模拟电路基础--PN结的形成及特性

　　PN结的形成

　　在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。PN结的形成过程为

　　PN结的单向导电性

　　PN结的单向导电性就是指PN结正向电阻小，反向电阻大。

　　(1)PN结加正向电压

　　外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻型。

　　(2)PN结加反向电压

　　外加的反向电压，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻型。

三. 模拟电路基础--半导体二极管

　　二极管：一个PN结就是一个二极管。

　　电路符号：

　　半导体二极管的伏安特性曲线

　　(1)正向特性曲线

　　正向区分为两段：

　　当0

　　当V>Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。

　　(2)反向特性曲线

　　反向区也有两个区域：

　　当VBR

　　当V>VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。

　　(3)反向击穿特性

　　硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡、反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。

　　若|VBR|>7Vs时，主要是雪崩击穿;若|VBR|<4V时，则主要是齐纳击穿。

四. 模拟电路基础--二极管基本电路分析

　　1.理想模型

　　正向偏置时：管压降为0，电阻也为0.

　　反向偏置时：电流为0，电阻为无穷大。

　　2.恒压降模型

　　当ID>1mA时，VD=0.7V。

　　3.折线模型(实际模型)

　　以上就是小编为大家介绍的模拟电路的基础知识了，如果您想深入学习模拟电路的知识的话，请您参考一下几篇文章

　　1.二极管工作原理

　　2.场效应管工作原理- -场效应管工作原理也疯狂

　　3. 模拟集成电路走上复苏路